Exercices corrigés polarisation d'un transistor bipolaire -

Électronique analogique : Exercices corrigés polarisation d'un transistor bipolaire

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1/2 N. ROUSSAFI Polarisation d'un transistor Polarisation d'un transistor bipolaire Exercice 1  =100 V

BE = 0,7V V

CC = 15V 1. Calculer : IB , IC , URC , V

CE et IE 2. Pour une variation de  de 10%, calculer la variation de IE . Conclure. Exercice 2  =100 V

BE = 0,7V V

CC = 15V

2/2 N. ROUSSAFI Polarisation d'un transistor 1. Calculer IE , IC ,V E

, VC , V

CE et V

B : 2. Pour ’ = 110, calculer I’

E et V’E . Conclure. Exercice 3  =100 V

BE = 0,7V V

CC = 15V R

1 = 10k R

2 = 100k 1) Faire la transformation du circuit de polarisation vu de la base du transistor en son équivalent de Thévenin et calculer E

th et Rth 2) Etablir l’expression de IE . 3) Calculer I

E pour  = 100 et ’=110. Conclure. 4) Calculer IC , VE , VC , V

CE et V

B 1/4 N. ROUSSAFI Polarisation d'un transistor Polarisation d'un transistor bipolaire Exercice 1 1. I

B = U

RB / R

B = (V

CC – VBE ) / R

B = (15V - 0,7V) / 2M I

B = 7,15μA I

C =  x I

B = 100 x 7,15μA I

C = 715μA U

RC = I

C x R

C = 715μA x 10k U

RC = 7,15V V

CE = V

C - V

E = V

C (V

E = 0V) V

CE = Vcc - V

RC = 15V - 7,15 V

CE = 7,85VI E = ( + 1) x I

B = 101 x 7,15μA = 722,15μA 2. On calcule le nouveau gain en courant du transistor : ’  /  =10%  (’ - ) /  = 10% ’ =110 Le nouveau courant d’émetteur du transistor : I’E I’

E = (’ + 1) x I

B = 111 x 7,15μA I’

E = 793,65μA On calcule la variation de IE I

E / I

E = (I’

E - IE ) / I

E = (793,65μA - 722,15μA) / 722,15μA I

E / I

E = 0,099 = 9,9% I

E / I

E ≈10% I

E dépend entièrement de . Si  change tout le calcul change.  change si :  la température du transistor change  on change le transistor Conclusion : Le montage n’est pas stable.

2/4 N. ROUSSAFI Polarisation d'un transistor Exercice 2 1. Vcc = V

RE + V

BE + VRB Vcc = I

E x R

E + V

BE + R

B x IB Vcc = I

E x R

E + V

BE + R

B x I

E / (+1) I

E = (Vcc - VBE ) / (R

E + R

B / (+1)) I

E = (15V - 0,7V) / (1k + 2,2M / (100 + 1)) I

E = 628μA I

C = I

E x  / ( +1) = 628μA x 100 / (100 + 1) I

C = 621μA V

E = I

E x R

E = 628μA x 1k V

E = 628mV V

C = 15V - 621μA x 10k V

C = 8,79V V

CE = V

C – V

E = 8,79V - 628mV V

CE = 8,16V V

B = V

E + V

BE = 628mV + 0,7V V

B = 1,33V 2. I’

E = (Vcc - VBE ) / (R

E + R

B / (’+1)) I’

E = (15V - 0,7V) / (1k + 2,2M / (110 + 1)) I’

E = 687μA V’

E = I’

E x R

E = 687μA x 1k V’

E = 687mV Si  augmente I

E augmente la tension V

E = R

E I

E augmente la tension V

RB = Vcc – (V

E + VBE ) diminue I

B diminue I

C diminue I

E diminue.

La résistance d'émetteur apporte donc, un élément de contre-réaction au système. On augmente la stabilité en ajoutant une résistance à l'émetteur.

3/4 N. ROUSSAFI Polarisation d'un transistor Exercice 3 1) E

th = V

CC x R

2 / (R

2 + R1 ) = 15V x 100k / (100k + 10k) E

th = 13,64V R

th = R

2 // R

1 = 100k // 10k R

th = 9,09k 2) E

th = U

RE + U

BE + URth E

th = I

E x R

E + U

BE + I

B x Rth E

th = I

E x R

E + U

BE + R

th x I

E / (+1) I

E = (E

th - UBE ) / (R

E + R

th / (+1)) 3)  = 100I E = (E

th - UBE ) / (R

E + R

th / (+1)) I

E = (13,64V - 0,7V) / (1k + 9,09k / (100+1)) I

E = 11,87mA ’ = 100 I’

E = (E

th - UBE ) / (R

E + R

th / (+1)) I’

E = (13,64V - 0,7V) / (1k + 9,09k / (110+1)) I’

E = 11,96mA  /  = (’ - ) /  =10% I

E / I

E = (I’

E - IE ) / I

E 4/4 N. ROUSSAFI Polarisation d'un transistor I

E / I

E = (11,96mA – 11,87mA) / 11,87mA = 0,0076 I

E / I

E = 0,76% I

E varie faiblement et le montage est stable. Ceci est dû au fait que le terme : R

th / (+1) est petit comparé à RE ; il peut même être négligé. 4) I

C = I

E x  / ( +1) = 605μA x 100 / (100 + 1) I

C = 600μA V

E = I

E x R

E = 605μA x 1k V

E = 605mV V

C = V

CC – I

C x R

C = 15V - 600μA x 10k V

C = 9V V

CE = V

C - V

E = 9V - 605mV V

CE = 8,4V V

B = V

E + V

BE = 605mV + 0,7V V

B = 1,31V